Signature - TELEGKU.RU


Hanging ceiling в in Pyatigorske. Welcome to world construction!!!

Информация компании TELEGKU


polza-bani.jpg

Что такое финская сауна и русская баня

Вторник, 17 Апреля 2018 21:23
preimushhestva-razdvizhnyh-dverej-3.jpg

Раздвижные двери любых видов для дома или квартиры

Суббота, 03 Марта 2018 15:29
kcdom03.jpg

Клееный конструкционный брус: как правильно выбрать материал данного плана

Пятница, 02 Марта 2018 21:40
betonnaja-lestnica.jpg

Расчет лестниц

Вторник, 27 Февраля 2018 06:46
tkanevye_potolki-7-300x169.jpg

Как перекрасить потолок самостоятельно

Понедельник, 12 Февраля 2018 21:21
fundament-dlya-doma-kakoy-luchshe-vyibrat3.jpg

Фундаменты под легкий и тяжелый дом

Пятница, 09 Февраля 2018 20:45
dizayn-potolkov-foto_8.jpg

Почему не стоит покупать натяжные потолки дешево

Четверг, 08 Февраля 2018 23:30
Z26_view1_jpg.jpg

Распространённые ошибки при строительстве своего дома

Среда, 07 Февраля 2018 21:51
white-floor-vases-with-arrangements-beautiful-peach-sakura.jpg

Напольная ваза — яркая деталь стильного и оригинального интерьера

Вторник, 06 Февраля 2018 21:09
71516113.jpg

Услуги по строительству и реконструкции зданий

Вторник, 06 Февраля 2018 13:04
1-2.jpg

Окна ПВХ – основы выбора

Понедельник, 05 Февраля 2018 13:12
natjazhnye-potolki-Polyplast-foto-02.jpg

Натяжной потолок, происхождение и применение

Пятница, 29 Декабря 2017 22:21
original_ffc19d6882b61a28.jpg

Аренда и продажа строительных кранов

Среда, 27 Декабря 2017 21:10
150-frame-house.jpg

Закажите строительство деревянного дома под ключ именно в нашей компании, и вы никогда об этом не пожалеете

Четверг, 21 Декабря 2017 20:51
22.jpg

Сборно-монолитное строительство

Среда, 20 Декабря 2017 21:59
2-6.jpg

Штукатурка стен в квартире

Четверг, 07 Декабря 2017 13:01
videodomofon-1024x576.jpg

Как установить видеодомофон

Понедельник, 20 Ноября 2017 12:59
49(041)-250x250.jpg

Лепнина из гипса - особенности монтажа

Суббота, 04 Ноября 2017 21:46
-FilesZ500-res-wizualizacje-Zx24-Zx24_view1_jpg.jpg

В Большой дом – с радостью

Вторник, 24 Октября 2017 20:49
167778-4.jpg

Белый кирпич: отличительные особенности, достоинства, сфера применения

Четверг, 12 Октября 2017 21:55
%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D0%BD%D0%BA%D0%B5%D0%BD.jpeg

Что такое планкен из лиственницы?

Понедельник, 02 Октября 2017 07:11
%D0%B4%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%8C.jpg

Установка деревянных дверей своими руками

Суббота, 30 Сентября 2017 19:22
%D0%BA%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%BD%D0%BD%D0%B0.jpg

Колонны в интерьере

Среда, 27 Сентября 2017 22:47
%D0%BA%D0%B8%D1%80%D0%BF%D0%B8%D1%871_jpg.jpg

Особенности строительства современных коттеджей

Воскресенье, 24 Сентября 2017 00:35
remont.jpg

Как самостоятельно сделать ремонт квартиры

Четверг, 21 Сентября 2017 07:24

Подвесные потолки

  • Подвесные потолки, фото и светильник подвесного потолка из гипсокартона
  • Подвесные потолки, фото и светильник подвесного потолка из гипсокартона
  • Подвесные потолки, фото и светильник подвесного потолка из гипсокартона
Компания "TELEGKU" Категории Строительное оборудование Развитие использования МОП-транзисторов в наше время

Развитие использования МОП-транзисторов в наше время

Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 

Развитие использования МОП-транзисторов в наше времяВ отличие от обычной структуры асимметричные тиристоры имеют структурный дополнительный буферный слой позволяет снизить обратное напряжение при выключении без существенного изменения напряжения в прямом направлении; при этом резко сокращается время выключения тиристора и уменьшается падение напряжения в открытом состоянии. Асимметричные тиристоры серии BTW (Philips) имеют предельные параметры 1200 В и 40 А и время выключения 2,4-20 мкс.

Основной недостаток тиристоров (неуправляемость по цепи затвора при выключении и относительно большое время выключения) удалось во многом преодолеть в новой конструкции, в так называемых выключаемых тиристорах. В отличие от обычных выключаемые тиристоры можно выключить, подавая на управляющий электрод импульс с амплитудой порядка 5 В и длительностью ~ 0,5 мкс. Выключаемые тиристоры имеют определённую структуру, причем анод имеет закорачивающие р -области. Процесс выключения возможен, если сумма коэффициентов усиления по току транзисторов, составляющих структуру тиристора, окажется больше единицы.

Для выключаемых тиристоров характерно снижение массы, уровня шумов, увеличение допустимых скоростей нарастания напряжения и тока, повышение скорости переключения. Выключаемые тиристоры могут выдерживать значительные перегрузки: сообщается, например, о возможности достижения максимальной скорости нарастания напряжения порядка 10 В мкс Фирма Hitachi (Япония) выпускает выключаемые тиристоры со следующими параметрами: максимальное повторяющееся напряжение 600-800 В, предельный ток до 450 А, напряжение в открытом состоянии < 2,6 В, время включения < 3 мкс, 1 время выключения < 5 мкс.

Дальнейшее улучшение характеристик выключения достигается в выключаемых тиристорах с усилением по цепи управляю щего электрода. Структура имеет цилиндрическую симметрию и состоит из основного и вспомогательного тиристоров.

Вспомогательный транзистор расположен в центре структуры и снабжен шунтирующими областями. Управляющий электрод подключен к Ц|НОВному тиристору через дополнительный диод, причем последний цикл может быть выполнен интегрально со всей структурой нн одной пластине. Для регулировки суммарного коэффициента пиления по току составной структуры применяется селективное получение электронным пучком в области диода. Для снижения при переключении используется специальный ступенчатый профиль легирования катодно-базовой области диода.

Другая разновидность выключаемых тиристоров — тиристоры, гмривляемые полем. Для них характерны низкая мощность уравления, высокая чувствительность, низкое сопротивление в некрытом состоянии, высокая скорость выключения и высокое Предельное значение скорости нарастания напряжения. Считается, что предельные параметры тиристоров, управляемых полем, удастся повысить до 1000 В и 100 А при падении напряжения в открытом состоянии  1 В и частоте переключения до 15 кГц; для этого применяется структура с коммиированной полевой решеткой, состоящей из продольных длинных полосок, объединяемых управляющим электродом, и коротки узких поперечных полосок, углубленных в структуре.

Современное состояние разработок дискретных полупроводнковых приборов и интегральных микросхем характеризуется значительным и быстрым улучшением их основных параметров, нт прением прогрессивной технологии и непрерывным расширенном областей применения этих приборов. Из изложенного нами материала можно сделать следующие выводы.

Общей характеристикой состояния технологии в 1980-IHHL гг. можно считать активное развитие методов создания М' '11-приборов и ИС. Биполярная технология в силу высокой производимости сохраняет главенствующее положение в производстве дискретных приборов; что касается ИС, то в 1981г. выпускались уже поровну как МОП-, так и биполярные схемы.

Следует ожидать дальнейшего увеличения доли МОП-технологии в будущем. Заметные успехи сделала арсенид-галлиевая ымюлогия; здесь проблемой остается получение качественных Мотков диаметром 75 мм.

Технологические методы остаются в основном традиционными, но наблюдается регулярное увеличение капиталовложений Им модернизацию оборудования. Наиболее дорогостоящим и в In mo время определяющим уровень разработок и производства длится оборудование sli.kz для литографии.

В настоящее время подавляющее большинство фирм США, Японии и ФРГ использует проекционную оптическую литографию с пределом по разрешению до 1,5 мкм. Интенсивно развивается рентгенолитография, позволяющая достичь субмикронного диапазона. В области термических обработок наблюдаются стремление понизить температуру процессов (в целях уменьшения числа вносимых дефектов и опасности искривления пластин) и тенденция к широкому применению соответствующих методов, в особенности нанесения поликремниевых пленок. Новым технологическим методом, все шире используемым в настоящее время, можно считать лазерный отжиг, заменяющий в принципе привычные термообработки и позволяющий в отличие от них локализовать тепловое воздействие.


Постоянная тенденция к увеличению степени интеграции( связанное с этим усложнение технологии объясняют то, что в США и Японии приняты специальные правительственные программы, обеспечивающие требуемый технологический прогресс.


В области конструирования ИС можно отметить, что современные технологические процессы и новые технологические операции позволяют совершенствовать кремниевые структуру БИС и СБИС, благодаря чему значительно расширяются как области их применения, так и их функциональные возможности, Существующие практические разработки указывают на несомненную перспективность ИС и дискретных приборов на арсениде галлия. Такие разработки дополняют элементную базу дискретных кремниевых приборов и ИС, особенно в СВЧ-диапазоне.


Для развития мощных полупроводниковых приборов xapактерно параллельное совершенствование их основных типов -биполярных транзисторов, МОП-транзисторов, тиристоров и комбинированных структур.


Наиболее универсальными мощными приборами являются в настоящее время биполярные транзисторы, обеспечивающие! рассеиваемую мощность до нескольких сот ватт и время переключения до 1 мкс. При мощностях порядка 10 кВт и выше вне конкуренции остаются тиристоры. Снижение времени nepеключения до единиц наносекунд обеспечивается лишь МОП-транзисторами, хотя мощность рассеяния ограничивается для этих приборов величинами порядка 10 Вт.


Наиболее быстро в последнее время развивается технология мощных МОП-приборов с вертикальной структурой. ОЩ дается, что в ближайшие годы будут созданы МОП-транзисторы на напряжение 1,5 кВ и ток до 10 А; мощность этих приборов составит несколько сот ватт.

 
НедавниеПопулярные

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить